আপনি কি অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির কাঠামোগত বৈশিষ্ট্যগুলি জানেন?

অ্যালুমিনিয়াম শেল এবং প্লাস্টিকের কভারটি একটি ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার গঠনের জন্য বন্ধ রয়েছে। অন্যান্য ধরণের ক্যাপাসিটারগুলির সাথে তুলনা করুন, অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার কাঠামোর মধ্যে নিম্নলিখিত সুস্পষ্ট বৈশিষ্ট্য রয়েছে:

(1) অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির কার্যনির্বাহী মাধ্যমটি অ্যানোডাইজিং দ্বারা অ্যালুমিনিয়াম ফয়েলের পৃষ্ঠের অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড (AL2O3) এর একটি খুব পাতলা স্তর তৈরি করতে হয়। এই অক্সাইড ডাইলেট্রিক স্তর এবং ক্যাপাসিটারের অ্যানোড একটি সম্পূর্ণ সিস্টেমে একত্রিত হয়। আন্তঃনির্ভরশীল এবং একে অপরের থেকে স্বাধীন হতে পারে না; আমরা সাধারণত একটি ক্যাপাসিটার বলি, এর ইলেক্ট্রোড এবং ডাইলেট্রিকগুলি একে অপরের থেকে স্বতন্ত্র।

অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের মূলটি চারটি স্তর অ্যানোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল, ইলেক্ট্রোলাইটিক কাগজ, ক্যাথোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল এবং ইলেক্ট্রোলাইটিক কাগজ দিয়ে তৈরি।

(২) অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের অ্যানোড হ'ল একটি অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল যা পৃষ্ঠের একটি AL2O3 ডাইলেট্রিক স্তরযুক্ত এবং ক্যাথোডটি আমরা যে নেতিবাচক ফয়েলটি ভাবতে অভ্যস্ত তা নয়, তবে ক্যাপাসিটারের ইলেক্ট্রোলাইট।

(৩) নেতিবাচক ফয়েল বৈদ্যুতিন ক্যাপাসিটারে বৈদ্যুতিক নিষ্কাশনের ভূমিকা পালন করে, কারণ ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের ক্যাথোড হিসাবে ইলেক্ট্রোলাইট সরাসরি বাহ্যিক সার্কিটের সাথে সংযুক্ত থাকতে পারে না এবং সার্কিটের অন্যান্য ধাতব ইলেক্ট্রোড এবং অন্যান্য অংশের মাধ্যমে একটি বৈদ্যুতিক পথ তৈরি করতে হবে।

(৪) অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির অ্যানোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল এবং ক্যাথোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল সাধারণত অ্যালুমিনিয়াম ফয়েলগুলি ক্ষয় করা হয় এবং প্রকৃত পৃষ্ঠের অঞ্চলটি তার আপাত পৃষ্ঠের ক্ষেত্রের চেয়ে অনেক বড়, এটি সাধারণত অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির একটি কারণগুলির মধ্যে একটি কারণ হয়। অসংখ্য মাইক্রো-এচড গর্তের সাথে অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল ব্যবহারের কারণে, তরল ইলেক্ট্রোলাইট সাধারণত তার প্রকৃত বৈদ্যুতিন অঞ্চলটি আরও দক্ষতার সাথে ব্যবহার করার জন্য প্রয়োজন।

(৫) যেহেতু অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির ডাইলেট্রিক অক্সাইড ফিল্মটি অ্যানোডিক জারণ দ্বারা প্রাপ্ত হয় এবং এর বেধ অ্যানোডিক জারণ দ্বারা প্রয়োগ করা ভোল্টেজের সাথে সমানুপাতিক, নীতিগতভাবে, অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির ডাইলেট্রিক স্তরটির বেধটি শৈল্পিকভাবে হ্রাস করতে পারে। সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ।